단결정 실리콘 웨이퍼 고순도
설명 단결정 실리콘(mono-Si) 웨이퍼는 태양광 패널의 구성 요소인 광전지(PV) 모듈 생산에 널리 사용됩니다. 이 웨이퍼는 고순도 실리콘 단결정으로 만들어져 햇빛을 효율적으로 ...
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단결정 실리콘(mono-Si) 웨이퍼는 태양광 패널의 구성 요소인 광전지(PV) 모듈 생산에 널리 사용됩니다. 이 웨이퍼는 고순도 실리콘 단결정으로 만들어져 햇빛을 전기로 효율적으로 변환할 수 있습니다.
PV 모듈용 모노-Si 웨이퍼를 제조하기 위해 Czochralski 공정은 종자 결정에서 실리콘 단결정을 성장시키는 데 사용됩니다. 생성된 결정은 일반적으로 약 180-240마이크로미터 두께의 매우 얇은 웨이퍼로 슬라이스됩니다.
슬라이싱 후 웨이퍼는 원하는 전기적 특성을 생성하기 위한 도핑뿐만 아니라 세척 및 연마를 포함한 여러 처리 단계를 거칩니다. 그런 다음 웨이퍼는 와이어 본딩 또는 납땜과 같은 다양한 기술을 사용하여 PV 모듈로 조립됩니다.
Mono-Si 웨이퍼는 다결정(다중 Si) 웨이퍼와 같은 다른 유형의 실리콘 웨이퍼에 비해 몇 가지 이점을 제공합니다. Mono-Si 웨이퍼는 저조도 조건에서 더 높은 효율과 더 나은 성능을 제공할 뿐만 아니라 더 긴 수명과 더 낮은 열화율을 제공합니다. 또한 균일한 검정색으로 인해 미학적으로 더욱 만족스럽기 때문에 주거용 및 상업용 응용 분야에 이상적입니다.
사양
| 성장 방법 | CZ 또는 FZ |
| 지름 | 1~8인치 |
| 마치다 | 절단, 랩핑, 에칭, SSP, DSP |
| 정위 | (100) (111) (110) |
| 유형 | N 또는 P |
| 비저항 | CZ: 0.0005에서 150Ωcm까지 FZ: 최대 10kΩcm |

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