설명
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고급 광전자 재료 Silicon Carbide.SiC의 고유한 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 광검출기 및 광학 센서를 비롯한 다양한 광전자 응용 분야에 매우 적합합니다.
SiC는 넓은 밴드갭을 나타내어 자외선(UV), 가시광선 및 적외선(IR) 파장을 포함한 광범위한 스펙트럼에서 효율적인 발광 및 감지가 가능합니다. SiC 기반 LED는 높은 광 출력과 에너지 효율을 달성할 수 있어 조명 애플리케이션 및 디스플레이에 적합합니다.
사양
| 요소 | 화학 기호 | 원자 백분율 |
|---|---|---|
| 규소 | 시 | 70퍼센트 |
| 탄소 | C | 30퍼센트 |


고급 광전자 재료 Silicon Carbide.SiC의 높은 열 안정성과 내화학성은 열악한 환경에서 작동할 수 있는 광전자 장치의 제작을 가능하게 합니다. SiC 기반 광전자 부품은 성능이나 신뢰성을 손상시키지 않으면서 고온, 습기 및 화학적 노출을 견딜 수 있습니다.
SiC 고유의 방사선 경도는 광전자 응용 분야, 특히 우주 및 원자력 산업에서 또 다른 이점입니다. SiC 기반 광전자 장치는 이온화 방사선을 견딜 수 있고 방사선이 풍부한 환경에서 기능을 유지할 수 있습니다.
SiC의 고급 광전자 특성 덕분에 고체 조명, 고속 광통신 및 양자 정보 처리와 같은 신기술에 유망한 소재가 되었습니다.
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