설명
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SiC의 고유한 특성으로 인해 태양 전지의 성능과 효율성을 개선하는 데 매우 적합합니다.
효율적인 태양 에너지 변환 Silicon Carbide.SiC는 넓은 밴드갭과 높은 열 전도성으로 인해 고효율 태양 전지 제조에 사용됩니다. 넓은 밴드갭 덕분에 SiC 기반 태양 전지는 고에너지 광자를 포함하여 더 넓은 스펙트럼의 태양광을 효율적으로 흡수할 수 있습니다. 이 더 넓은 흡수 스펙트럼은 햇빛을 전기 에너지로 개선된 변환을 가능하게 합니다.
사양
| 재산 | 값 |
|---|---|
| 화학식 | 원문대로 |
| 열팽창 계수(CTE) | 4.0-6.0 x 10⁻⁶/도 |
| 최대 작동 온도 | 1,600-2,800도(2,912-5,072도 F) |
| 영률 | 370-700 GPa |
| 푸아송비 | 0.16-0.22 |
| 유전 상수 | 9.7-10.7 |
| 밴드갭 에너지 | 2.2-3.3eV |


효율적인 태양 에너지 변환 실리콘 카바이드. 또한 SiC의 높은 열 전도성은 태양 전지에서 효과적인 열 발산을 촉진하여 온도로 인한 손실을 줄이고 전반적인 성능을 향상시킵니다. SiC 기반 태양 전지는 상당한 효율 저하 없이 더 높은 온도에서 작동할 수 있어 고온 환경에 적합합니다.
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