실리콘 카바이드 Wide Bandgap Semiconductor에 대하여
탄화규소는 큰 에너지 밴드갭(일반적인 육각형 다형의 경우 약 3.0 eV)으로 인해 넓은 밴드갭 반도체로 간주됩니다. 이 특성으로 인해 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 더 높은 전압과 온도를 견딜 수 있습니다.
설명
설명
실리콘 카바이드(SiC)는 와이드 밴드갭 반도체 재료로 널리 인식되고 있습니다.
사양
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블랙 실리콘 카바이드(제품은 일 수 있습니다맞춤형)
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목적
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사양
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화학 성분(백분율)
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Max.Magnetic 재료 함량(백분율)
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SIC-분
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FC 최대
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Fe2O3-최대
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연마재 등급
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곡물
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12-80
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98
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0.20
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0.6
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0.0023
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90-150
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97
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0.30
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0.8
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0.0021
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180-220
|
97
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0.30
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1.2
|
0.0018
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미세분말
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240-4000
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96
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0.35
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1.35
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-
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내화 등급
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그룹 크기
(mm)
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0-1
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97
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0.35
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1.35
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-
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1-3
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3-5
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5-8
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고운 가루
(망사)
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-180
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97
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0.35
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1.35
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-
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-200
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-240
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-320
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색상
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검은색
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경도(모스)
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9.15
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녹는점(정도)
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2250
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최대 서비스 온도(도)
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1900
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투르 밀도(g/cm3)
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3.9
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와이드 밴드갭 반도체로서의 SiC에 대한 정보는 다음과 같습니다.
- 넓은 밴드갭 에너지: 실리콘 카바이드는 실리콘과 같은 기존 반도체에 비해 밴드갭 에너지가 훨씬 더 넓습니다. SiC의 밴드갭은 결정 구조와 다형에 따라 약 2.2~3.3전자볼트(eV) 범위입니다.
- 높은 항복 전압: SiC의 넓은 밴드갭은 높은 항복 전압 성능을 허용합니다. SiC 기반 장치는 고장이 발생하기 전에 더 높은 전기장을 견딜 수 있으므로 고전압 응용 제품에 적합합니다.
- 고온 작동: 실리콘 카바이드의 넓은 밴드갭은 또한 고온 작동을 가능하게 합니다. SiC 장치는 높은 온도에서 성능과 신뢰성을 유지할 수 있으므로 높은 열 부하가 발생하는 응용 분야에 적합합니다.
- 효율적인 전력 변환: SiC의 넓은 밴드갭과 우수한 열 전도성 및 낮은 온 저항이 결합되어 기존 실리콘 기반 장치에 비해 더 효율적인 전력 변환이 가능합니다. 다이오드, MOSFET 및 IGBT(절연 게이트 바이폴라 트랜지스터)와 같은 SiC 기반 전력 전자 장치는 전력 손실 감소, 작동 주파수 증가 및 에너지 효율 향상을 제공합니다.
- 더 빠른 스위칭 속도: SiC의 넓은 밴드갭과 높은 전자 이동도는 SiC 기반 장치의 더 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. SiC 장치는 더 빠르게 켜고 끌 수 있어 더 높은 스위칭 주파수를 허용합니다.
- 광범위한 응용 분야: SiC의 넓은 밴드갭 반도체 특성으로 인해 다양한 응용 분야에 적합합니다. 전기 자동차(EV) 드라이브 트레인, 재생 에너지 시스템(예: 태양열 및 풍력 인버터), 산업용 모터 드라이브 및 고주파 스위칭 애플리케이션을 포함한 전력 전자 장치에 일반적으로 사용됩니다.
실리콘 카바이드의 넓은 밴드갭 반도체 특성 덕분에 고전압, 고온 및 고전력 응용 분야에서 기존의 실리콘 기반 반도체를 능가할 수 있습니다.
SiC 기술은 지속적으로 발전하고 있으며 보다 효율적이고 콤팩트하며 신뢰할 수 있는 전력 전자 시스템을 가능하게 함으로써 다양한 산업에 혁명을 일으킬 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다.
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