실리콘카본

사양

2023년 9월 8일 SiC 시장 요약

기존 실리콘(Si) 반도체에 비해 SiC 반도체는 밴드갭이 실리콘의 3배, 항복 전계가 실리콘의 8배에 달합니다. 이를 통해 SiC 반도체는 더 높은 온도, 더 강한 전기장, 더 강한 방사선 환경을 견딜 수 있습니다. 또한 SiC 반도체는 캐리어 이동도가 높고 화학적 부식에 대한 저항성이 뛰어나 고온, 고압, 고주파수 및 고방사선 환경에서 사용하기에 유망한 후보입니다.

전자 분야에서 SiC 반도체의 응용 분야에는 주로 전력 장치, 센서, 무선 주파수 장치 및 논리 장치가 포함됩니다. 전력 분야에서는 SiC 반도체가 주로 인버터, 모터 드라이브, 태양광 인버터, 전원 공급 장치 등 고전압, 고온, 고전력 전력 전자 장비에 사용됩니다. 에너지 분야에서는 SiC 반도체가 풍력, 태양광 등 신재생에너지의 변환 및 저장, 전기자동차의 충전 및 주행 등에 주로 사용됩니다.

SiC 반도체의 제조 공정은 주로 성장, 슬라이싱, 연마, 금속화, 패키징 등의 단계로 구성됩니다. 그 중 성장은 SiC 반도체 제조에 있어 핵심 단계로, 고온, 고압, 고순도 원료와 복합 성장 장비를 사용해야 한다.

SiC 반도체는 많은 장점을 갖고 있지만 높은 제조 비용, 표면 패시베이션, 금속 불순물, 열 안정성 등 제조 및 응용 분야에서 몇 가지 과제도 있습니다. 앞으로도 지속적인 기술 발전으로 SiC 반도체는 더욱 폭넓게 활용되고 홍보될 것입니다.

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