실리콘 카바이드 제조 기술

모양:덩어리/분말 모양
내화물용 탄화규소 분말

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설명

탄화규소(SiC)는 뛰어난 화학적, 물리적 특성으로 인해 전자 분야에서 널리 사용되는 소재입니다. MOSFET, 다이오드, 전원 모듈과 같은 전자 부품 제조에 사용됩니다.
SiC 제조는 전문 지식과 특정 장비가 필요한 복잡한 프로세스입니다. SiC 생산에 사용되는 가장 일반적인 방법은 전기 저항성 용광로에서 코크스와 모래의 혼합물을 가열하는 Acheson 공정입니다. 반응으로 인해 SiC 결정이 형성되고 크기와 품질에 따라 분쇄되고 분류됩니다.
SiC 제조에 사용되는 또 다른 방법은 화학기상증착(CVD) 공정입니다. 이 방법은 진공 챔버에서 실란(SiH4)과 메탄(CH4)과 같은 반응성 가스 사이의 반응을 포함합니다. 이 반응은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 위에 SiC 층을 생성합니다.

사양

모델	구성요소 퍼센트
60#	SiC	F.C		Fe2O3
65#	60분	15-20	8-12	최대 3.5
70#	65분	15-20	8-12	최대 3.5
75#	70분	15-20	8-12	최대 3.5
80#	75분	15-20	8-12	최대 3.5
85#	80분	3-6		최대 3.5
90#	85분	최대 2.5		최대 3.5
95#	90분	1.0최대		1.2최대
97#	95분	0.6최대		1.2최대

최근에는 PVT(물리적 기상 수송) 및 HTCVD(열간 열 화학 기상 증착) 공정과 같은 새로운 SiC 결정 성장 방법이 도입되면서 SiC 제조 기술이 발전했습니다. 이러한 공정을 통해 Acheson 공정에 비해 결함이 적은 더 크고 균일한 SiC 결정을 생산할 수 있습니다.
SiC 제조산업은 고전력, 고온, 고주파 성능을 요구하는 전자소자에 대한 수요 증가로 인해 지속적으로 성장하고 있습니다. SiC 부품을 사용하면 전력 손실을 줄이고 효율성을 높이며 크기와 무게를 줄여 이러한 요구 사항을 해결할 수 있습니다.
결론적으로, SiC 제조 기술은 전자 산업의 중요한 구성 요소입니다. SiC 결정 성장 방법의 발전으로 SiC 부품 생산은 앞으로도 계속해서 증가할 것으로 예상됩니다. 이를 통해 고전력 및 고온 환경에 더 적합한 보다 효율적인 전자 장치가 탄생할 것입니다.

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